팹
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Fab / Semiconductor device fabrication
Fab / Semiconductor device fabrication
1. 개요 [편집]
2. 상세 [편집]
2.1. 반도체 제조 공정 [편집]
공정 이름 | 노드 형태 | 출시 연도 | 트랜지스터 | 인터커넥트 피치 | 트랜지스터 핀 | |||
밀도 | 게이트 피치 | 피치 | 폭 | 높이 | ||||
10㎛ | 정의 | 1970 | ||||||
6㎛ | 정의 | 1974 | ||||||
3㎛ | 정의 | 1977 | ||||||
1.5㎛ | 정의 | 1982 | ||||||
1㎛ | 정의 | 1985 | ||||||
800㎚ | 정의 | 1989 | ||||||
600㎚ | 정의 | 1994 | ||||||
350㎚ | 정의 | 1995 | ||||||
250㎚ | 정의 | 1997 | ||||||
220㎚ | 하프 | 1999 | ||||||
180㎚ | 정의 | 1999 | ||||||
150㎚ | 하프 | 2001 | ||||||
130㎚ | 정의 | 2001 | ||||||
110㎚ | 하프 | 2004 | ||||||
90㎚ | 정의 | 2004 | ||||||
80㎚ | 하프 | 2006 | ||||||
65㎚ | 정의 | 2006 | ||||||
55㎚ | 하프 | 2007 | ||||||
45㎚ | 정의 | 2007 | ||||||
40㎚ | 하프 | 2008 | ||||||
32㎚ | 정의 | 2010 | ||||||
28㎚ | 하프 | 2012 | ||||||
22㎚ | 정의 | 2012 | ||||||
20㎚ | 하프 | 2014 | ||||||
14㎚ | 정의 | 2014 | ? | 70㎚ | 56㎚ | 42㎚ | 8㎚ | 42㎚ |
10㎚ | 정의 | 2017 | ? | 48㎚ | 36㎚ | 36㎚ | ? | 42㎚ |
8㎚ | 하프 | 2019 | ||||||
7㎚ | 정의 | 2018 | ? | 48㎚ | 28㎚ | ? | ? | ? |
5㎚ | 정의 | 2020 | ? | 42㎚ | 24㎚ | ? | ? | ? |
3㎚ | 정의 | ? | ||||||
2.2. 추세 [편집]
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