띠틈
최근 수정 시각: (5년 전)
전도띠와 원자가띠 사이의 에너지 간격. 직접 띠틈(direct band gap)을 가진 물질과 간접 띠틈(indirect band gap)을 가진 물질이 있다. GaAs 는 직접 띠틈 구조이고 규소는 간접 띠틈 구조이다. 규소의 간접 띠틈은 1.12eV , 직접 띠틈은 4.2eV 이다.
띠틈의 크기에 따라서 물질을 도체, 반도체, 부도체로 분류하기도 한다. 도체는 보통 띠틈이 없고 반도체는 띠틈이 작으며 부도체는 띠틈이 크다. 이 분류는 절대적인 것은 아니라서 띠틈이 5eV에 가까우면서도 반도체로 활용되는 물질이 있고 띠틈이 그보다 작으면서도 부도체의 성질을 보이는 물질이 있다.
띠틈의 크기에 따라서 물질을 도체, 반도체, 부도체로 분류하기도 한다. 도체는 보통 띠틈이 없고 반도체는 띠틈이 작으며 부도체는 띠틈이 크다. 이 분류는 절대적인 것은 아니라서 띠틈이 5eV에 가까우면서도 반도체로 활용되는 물질이 있고 띠틈이 그보다 작으면서도 부도체의 성질을 보이는 물질이 있다.
라이선스를 별도로 명시하지 않은 문서는 CC BY-NC-SA 2.0 KR에 따라 이용할 수 있습니다.
기여하신 문서의 저작권은 각 기여자에게 있으며, 각 기여자는 기여하신 부분의 저작권을 갖습니다.
문서의 기여자는 역사 탭에서 확인할 수 있습니다.
접두어의 N: - 나무위키 사용자, R: - 리그베다 위키의 사용자를 뜻합니다.
자세한 사항은 나무위키에서 동일한 문서의 역사를 참고하시기 바랍니다.